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形成液：电导率高，氧化效果好，但是形成液的闪火电压低；电导率低，氧化效果差，但是形成液的闪火电压高，阳极块不容易晶化、击穿。目前的磷酸稀水溶液只能适合形成电压200V以下，如果要形成200V以上的产品，应改用乙二醇稀水溶液，该溶液闪火电压高，抑制晶化能力强，但是乙二醇不容易煮洗干净，被膜损耗要微增加。一般情况下，CA42形成电压不会超过200V，只要用磷酸稀水溶液就可以了。h）恒压时间：钽块越小，恒压时间越短，钽块越大，恒压时间越长，详见工艺文件。原则：结束电流要很小，基本上稳定不再下降为止，具体数值要看平时积累数据。钽电容的封装形式多样，包括直插式、表面贴装式和针脚式等，以满足不同电路的需求。CAK35X-10V-180uF-K-2

钽电容简介和基本结构固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2,通过石墨层作为引出连接用。钽电容性能优越，能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小，易于加工成小型和片状元件，适宜目前电子器件装配自动化，小型化发展，得到了***的应用，钽电容的主要特点有寿命长，耐高温，准确度高，但耐电压和电流能力相对较弱，一般应用于电路大容量滤波部分。THC-50V-24000uF-K-C6钽电容具有高可靠性，长时间使用后不会出现容量衰减或漏电流增加等问题。

钽电容器等效串联电阻ESR过高和电路中交流纹波过高导致的失效。当某只ESR过高的钽电容器使用在存在过高交流纹波的滤波电路,即使是使用电压远低于应该的降额幅度,有时候,在开机的瞬间仍然会发生突然的击穿现象;出现此类问题的主要原因是电容器的ESR和电路中的交流纹波大小严重不匹配.电容器是极性元气件,在通过交流纹波时会发热,而不同壳号大小的产品能够维持热平衡的容许发热量不同.由于不同容量的产品的ESR值相差较高,因此,不同规格的钽电容器能够安全耐受的交流纹波值也相差很大,因此,如果某电路中存在的交流纹波超过使用的电容器可以安全承受的交流纹波值,产品就会出现热致击穿的现象.同样,如果电路中的交流纹波一定,而选择的钽电容器的实际ESR值过高,产品也会出现相同的现象.一般来说,在滤波和大功率充放电电路,必须使用ESR值尽可能低的钽电容器.对于电路中存在的交流纹波过高而导致的电容器失效问题,很多电路设计师都忽略其危害性或认识不够.只是简单认定电容器质量存在问题.此现象很多.

例如：35V105，中间抽测容量为1.08、1.05、1.12、1.09、1.10，形成电压为95V，问需要提高几伏电压才能达到需求的容量?先求出中间抽测容量的平均值C1=1.09,V1=95V2=1.09X95/1.0=103.5(V),需提高9V注意：提高电压后，需恒压一小时，才可结束赋能。e)形成液温度：T1.V1=T2.V2T1：***次恒压温度；V1：***次恒压电压；T2：第二次恒压温度；V2：第二次恒压温度；V2：T1.V1/T2注意公式中的温度K是***温度，需将摄氏温度加上273；例如：***次恒压温度为75度，恒压电压为90V，如果形成液的温度提高到85度，问形成电压要降低几伏？V2=90×（75+273）/（85+273）=87.5V，需降低3V。在使用多个钽电容时，需要考虑它们的均流特性和容量匹配等问题，以避免过热和损坏。

近年来，随着信息技术和电子设备的快速发展及国际制造业向中国转移，电容器需求呈现出整体上升态势，我国电容器产业也快速发展成为世界电容器生产大国和出口大国。电容器产量约占整个电子元件的40%，且需求不断扩大。钽电容器诞生于1956年，是四大电容产品（MLCC/铝电解/钽电容/薄膜电容）之一。钽电容器产量较小，价格较贵，在整个电容器市场的应用占比较低；且拥有高能量密度、高可靠性、稳定的电性能、较宽的工作温度范围等特点，尤其是具有“自愈性”；钽电容相应成本也高，主要应用于高可靠性电子设备，以及5G等民品市场。钽电容是一种高精度的电容，常用于需要高稳定性和低电阻的电路中。CAK-8A-25V-4.7uF-K-1

钽电容应用于计算机、通信、医疗、航天和汽车等领域，为电子设备的稳定运行提供保障。CAK35X-10V-180uF-K-2

    固钽因“不断击穿”又“不断自愈”问题产生失效。在正常使用一段时间后常发生固钽密封口的焊锡融化，或见到炸开，焊锡乱飞到线路板上。分析原因是其工作时“击穿”又“自愈”，在反复进行，导致漏电流增加。这种短时间(ns～ms)的局部短路，又通过“自愈”后恢复工作。关于“自愈”。理想的Ta2O5介质氧化膜是连续性的和一致性的。加上电压或高温下工作时，由于Ta＋离子疵点的存在，导致缺陷微区的漏电流增加，温度可达到500℃～1000℃以上。这样高的温度使MnO2还原成低价的Mn3O4。有人测试出Mn3O4的电阻率要比MnO2高4～5个数量级。与Ta2O5介质氧化膜相紧密接触的Mn3O4就起到电隔离作用，防止Ta2O5介质氧化膜进一步破坏，这就是固钽的局部“自愈了”。但是，很可能在紧接着的再一次“击穿”的电压会比前一次的“击穿”电压要低一些。在每次击穿之后，其漏电流将有所增加，而且这种击穿电源可能产生达到安培级的电流。同时电容器本身的储存的能量也很大，导致电容器长久失效。 CAK35X-10V-180uF-K-2